MOS场效应管判断寄生二极管规则： N沟道：S极指向D极 P沟道：D极指向S极，二极管：独特的单向导电性，可想成电子版的逆止阀。 如何产生寄生二极管： 因生产工艺造成，大功率MOS场效应管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。 小功率MOS场效应管 集成芯片中MOS管是平面结构 漏极方向：从硅片上面与源极相同方向，无此二极管。

　　MOS场效应管保护电路时可能阻塞状态图解，若充电器使能前，接入电池，电池上拉MP1的栅极电压，MP1被停用。 充电器接通，产生受控电流，MP1接通MP2关断的可能性降低。 若：电池附联前，启用充电器，MP1栅极跟随电池充电器输出， 原因：它由泄放电阻器R2上拉 未接入电池，MP1没有接通和使MP2脱离运行状态的倾向。

　　输入端：Q3+外部共基极=电平转换电路 ⑤：接受控制输入，它由MCU产生 输入3V数字量 转 12V数字量 Q1 Q2：互补射极输出器，它们不会同时导通短路电源 输出端：串电阻，避免意外 MOS场效应管从截止到导通时间  

　　导通到截止 R1值减小，导通时间减小，但并不无限，因驱动源拉电流能力有限

　　MOS场效应管负载连接方式 MOS场效应管的驱动负载，正确的方法是接在漏极D 如下图所示 左边电路： G极电势=4v，S接地，电势=0v Vgs=4v，MOSFET导通 Vd=0.075v，可看作似0。亿博电竞 亿博官网 右边电路： 右方接负载电路，无法带动负载，即MOSFET无法导通 原因：MOSFET导通，Vs≈Vd=24v，亿博电竞 亿博官网Vgs=Vg-Vs=-20v，MOSFET不导通.

　　WLL工艺 PMOS衬底相同，即N-WELL 衬底与源极无法直接 原因：若通过衬底短接，影响PMOS其他特性，PMOS的衬底只接VDD高电位。 WELL工艺 NMOS管P衬底独立，衬底与源极相接，可减小衬偏效应。 工艺表现：元件衬底接触点 如，PMOS元件在工艺上剖面图 如下所示PMOS的衬底电位的接触点，CMOS工艺PMOS器件是做在Nwell里，PMOS的衬底guard ring使用的是NWring. 接法 在schematic原理图中搭建电路时，所有pmos的衬底需要接VDD，所有nmos的衬底需要接VSS 在layout版图中

　　从高电压Vs得到低电压Vo。 Vo经过两个分压电阻分压得到V+，V+被送入放大器的正端，而放大器即误差放大器的负端Vref是电源内部的参考电平，它是恒定的。 放大器输出Va连接到MOS场效应管栅极，控制MOS场效应管的阻抗 Va变大时，MOSFET的阻抗变大 Va变小时，MOSFET的阻抗变小 MOSFET上的压降将是Vs-Vo

　　呈现正电：MOS管P型半导体中的多数载流子为空穴 呈现负电：MOS管N型半导体中的多数载流子为电子 PN节构成：当P型半导体和N型半导体吻合在一起时 多数载流子的扩散运动使得空穴从P型半导体流向N型半导体，亿博电竞 亿博官网使得电子从N型半导体流向P型半导体。进而在接触面附近形成空间电荷区，此区域内少子占优，