常用电子元器件大全如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流第一章电子元器件第一节、电阻器11电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻12电阻器的英文缩写：R（Resistor）RN13电阻器在电路符号：电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ15电阻器的单位换算:16电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：17电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。18电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。19电阻器的在电路中的参数标注方法有3a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为20%b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示R表示0如：47247102Ω（即47KΩ104则表示100KΩ、;R22表示022Ω122=1200Ω=12KΩ1402=14000Ω=14KΩ50C=324*100=324KΩ、17R8=178Ω、000=0Ωc、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5表示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环现举例如下：如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10第四环是色环电阻器的误差范围见图一四色环电阻器（普通电阻标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数10允许误差如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流第一位有效值第二位有效值101%102%1005%10025%1001%10―20%10%无色20%图1-1两位有效数字阻值的色环表示法如果色环电阻器用五环表示,前面三位数字是有效数字,第四位是10第五环是色环电阻器的误差范围见图二五色环电阻器（精密电阻）标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值第三位有效数字标称值有效数字后0的个数10允许误差颜色第一位有效值第二位有效第三位有效值10-20%～+50%10%图1-2三位有效数字阻值的色环表示法如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流d、SMT精密电阻的表示法，通常也是用3位标示。一般是2位数字和1位字母表示，两个数字是有效数字，字母表示10的倍幂,但是要根据实际情况到精密电阻查询表里出查找下面是精密电阻的查询表:代码阻值代码阻值阻值代码阻值代码阻值coderesiscancoderesiscancecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscance8806121290383665symbolmultipliers-3110SMT电阻的尺寸表示：用长和宽表示（如0201，0603，0805，1206等，具体如02表示长为002英寸宽为001英寸）。111一般情况下电阻在电路中有两种接法:串联接法和并联接法电阻的计算：R1R1R2R2串连：并联：R=R1+R2R=1R1+1R2112多个电阻的串并联的计算方法：如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流串联：R总串=R1+R2+R3+„„Rn并联：1R总并=1R+2R+3R„„1Rn113电阻器好坏的检测:a、用指针万用表判定电阻的好坏:首先选择测量档位,再将倍率档旋钮置于适当的档位,一般100欧姆以下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选RX10档,1K欧姆-10K欧姆电阻器可选RX100档,10K-100K欧姆的电阻器可选RX1K档,100K欧姆以上的电阻器可选RX10K的方法是:将万用表两表笔金属棒短接,观察指针有无到0的位置,如果不在0位置,调整调零旋钮表针指向电阻刻度的0位置c、接着将万用表两表笔分别和电阻器的两端相接,表针应指在相应的阻值刻度上,如果表针不动和指示不稳定或指示值与电阻器上的标示值相差很大,则说明该电阻器已损坏d、用数字万用表判定电阻的好坏;首先将万用表的档位旋钮调到欧姆档的适当档位,一般200欧姆以下电阻器可选200档,200-2K欧姆电阻器可选2K档,2K-20K欧姆可选20K档,20K-200K欧姆的电阻器可选200K档,200K-200M欧姆的电阻器选择2M欧姆档2M-20M欧姆的电阻器选择20M档,20M欧姆以上的电阻器选择200M档第二节电容器21电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量22电容器的英文缩写:Ccapacitor23电容器在电路中的表示符号:或CN排容24电容器常见的单位:毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）25电容器的单位换算:纳法=1012nf=10-6uf=10-9mf=10-1226电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等27电容器的特性:电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。。电容的特性主 要是隔直流通交流,通低频阻高频 28 电容器在电路中一般用“C”加数字表示如C25 表示编号为25 的电容 29 电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法 直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表示出来：如：220MF 表示220UF；01UF 表示001UF；R56UF 表示056UF;6n8 表示6800PF 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 不标单位的数码表示法其中用一位到四位数表示有效数字,一般为PF,而电解电容其容量则为UF如:3 表示3PF;2200 表示2200PF;0056 表示0056UF; 数字表示法:一般用三为数字表示容量的大小,前两位表示有效数字,第三位表示10 的倍幂如102 表示10*10 1000PF;224表示22*10 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%- 10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。 210 电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容我们常见到的电解电容就是有极 性的,是有正负极之分 211 电容器的主要性能指标是: 电容器的容量即储存电荷的容量,耐压值指在额定 温度范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值耐温 值表示电容所能承受的最高工作温度。 212 电容器的品牌有: 主板电容主要分为台系和日系两种,日系品牌有： NICHICON，RUBICON，RUBYCON（红宝石）、KZG、SANYO（三洋）、 PANASONIC（松下）、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；台系品牌有： TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS 电容器的计算：C1 c2 c1 c2 串连： 并联： 1C=1C1+1C2 C=C1+C2 213 多个电容的串联和并联计算公式: 并C=C1+C2+C3+„„+CN214 电容器的好坏测量 a;脱离线路时检测 采用万用表Ｒ１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以 便放掉电容内残余的电荷当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针 缓慢地向左回转，亿博电竞 亿博官网最后表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电 阻，此阻值愈大愈好，最好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说 明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回 摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。 b线路上直接检测 主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障，而对漏电故障由 于受外电路的影响一般是测不准的。用万用表Ｒ１挡，电路断开后，先放掉 残存在电容器内的电荷。测量时若表针向右偏转，说明电解电容内部断路。如 果表针向右偏转后所指示的阻值很小（接近短路），说明电容器严重漏电或已 击穿。如果表针向右偏后无回转，但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的 可能很大，应脱开电路后进一步检测。 c．线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故 障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如 果电压很低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。 对于电解电容的正、负极标志 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流 不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电 阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。 第三节 电感器 31 电感器的英文缩写：L Inductance 电路符号： 32 电感器的国际标准单位是: H亨利,mH毫亨,uH（微亨）,nH（纳亨）； 33 电感器的单位换算是: 1H=10 H；1nH＝10 -3 H=10-6 H=10-9 34电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。 35 电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等。 36 电感器的分类:空芯电感和磁芯电感磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感 等主机板中常见的是铜芯绕线 电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6 表示编号为6 的电感。电感 线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电 阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自 感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感 的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振 荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表 示1uH（误差5%）的电感。 38 电感的好坏测量:电感的质量检测包括外观和阻值测量首先检测电感的外 表有无完好,磁性有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标志有无完整清晰,接线 有无断裂和拆伤等用万用表对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的 正常电阻值进行比较如果检测值比正常值显著增大,或指针不动,可能是电感器本 体断路若比正常值小许多,可判断电感器本体严重短路,线圈的局部短路需用专用 仪器进行检测 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 第四节 半导体二极管 41 英文缩写：D Diode 电路符号是 42 半导体二极管的分类 分类：a 按材质分：硅二极管和锗二极管； 按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 43 半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5 表示编号为5 体二极管。44 半导体二极管的导通电压是: a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于06V 时才能导通,导通后电压保持 在06-08V 之间 B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于02V 时才能导通,导通后电压保 持在02-03V 之间 45 半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导 通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 46 半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。 47 半导体二极管的识别方法： a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接 看出半导体二极管的正负极在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端 是正极 b;用万用表指针表判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档R100 或R1K,然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导 通,测的阻值较小一般几十欧姆至几千欧姆之间,这时黑表笔接的是二极管的正极, 红表笔接的是二极管的负极当测的阻值很大一般为几百至几千欧姆,这时黑表笔 接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极 c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑 表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万 用表的表笔接法刚好相反。 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 48 变容二极管是根据普通二极管内部 “PN 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电 话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上， 并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的 内部结电容容量随调制电压的变化而变化。 变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差： （1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。 （2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到 对方被对方接收后产生失真。 出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。 49 稳压二极管的基本知识 a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本 保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原 因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这 种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到 零伏或输出不稳定。 1N47281N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 33V 36V 39V 47V 51V 56V 62V 15V 27V 30V 75V 410 半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导 通电压为06－08V；锗管的导通电压为02－03V），而工程分析 时通常采用的是07V 411 半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关 系曲线为二极管的伏安特性曲线; 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 图三 硅和锗管的伏安特性曲 412半导体二极管的好坏判别:用万用表指针表R100 R1K档测量二 极管的正,反向电阻要求在1K 左右,反向电阻应在100K 以上总之,正向电阻越小,越好反向电阻越大越好若正向 电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明 二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。 第五节 半导体三极管 51 半导体三极管英文缩写：QT 52 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17 表示编号为17 的三极管。 53 半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2 个PN 并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP 型两种类型，这两种类型的三极 管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL 电路中的对管就是由PNP 型和NPN 型配对使 按材料来分可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN 型，锗管多为PNP `E发射极C集电极 E发射极 C集电极 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 B基极 B基极 NPN 型三极管 PNP 型三极 54半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电 压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的 放大必须具备的外部条件。 55 半导体三极管的主要参数 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic 发生更大的变化，即基极电流Ib 的微小变化控制了集电 极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β IcΔIb。 b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。 c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率 损耗。 56 半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般 使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。 a;半导体三极管的三种基本的放大电路。 共射极放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流 CCCE CCCE CCCE 多级放大电路的中间级输入、输出级或缓冲级 高频电路或恒流源电路 b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路 径来判断，没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。 注：交流信号从基极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。 交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。 交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。 57 用万用表判断半导体三极管的极性和类型用指针式万用表 a;先选量程：R100 或R1K 档位 b;判别半导体三极管基极： 用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外 两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是 基极（两次阻值都小的为NPN 型管，两次阻值都大的为PNP 量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。 c;判别半导体三极管的c 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流 确定基极后，对于NPN 管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两 次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e 红笔接得是c极（若是PNP 型管则黑红表笔所接得电极相反）。 判别半导体三极管的类型如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其 另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN 型半导体三极管,如 测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管 58 现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪 个是b、c、e？三极管的b 极很容易测出来，但怎么断定哪个是c 哪个是e？ 这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测 极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位 置是正确的。第二种方法：对无hFE 测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的, 可以用这种方法：对NPN 管，先测出b 极（管子是NPN 还是PNP 以及其b 脚都很容 易测出，是吧？），将表置于R1kΩ 档，将红表笔接假设的e 极（注意拿红表笔 的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c 极，同时用手指捏住表笔尖及这 个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b 极，看表头指针应有一定的偏转，如 果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是 很明显的。由此就可判定管子的c、e 极。对PNP 管，要将黑表笔接假设的e （手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个 管脚，然后用舌尖舔一下b 极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。 当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所 有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，亿博电竞 亿博官网还可以估计出管子的放大能 力，当然这是凭经验的。 c;第三种方法：先判定管子的NPN 或PNP 类型及其b 极后，将表置于R10kΩ 档，对NPN 管，黑表笔接e 极，红表笔接c 极时，表针可能会有一定偏转，对PNP 管，黑表笔接c 极，红表笔接e 极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有 偏转。由此也可以判定三极管的c、e 极。不过对于高耐压的管子，这个方法就不 适用了。 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c 极基本都是在中间（我还没见过b 在中间的）。中、小功率管有的b 极可能在中间。比如常用的9014 三极管及其系 列的其它型号三极管、2SC1815、2N5401、2N5551 等三极管，其b 极有的在就中 间。当然它们也有c 极在中间的。所以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三 极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下 59 半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管 b;按功率分：小功率管，中功率管和的功率管 c;按机构分：PNP 管和NPN e;按功能分：开关管和放大510 半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件－ 通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称 为双极型元件） NPN型三极管共发射极的特性曲线μ UCE=0V1V 放大区60μ IB40μ 0220μ 0406 08 UBEV IB=0μ 截止区输入特性曲线;输出特性曲线 三极管各区的工作条件： 1．放大区：发射结正偏，集电结反偏： 2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏； 3．截止区：发射结反偏，集电结反偏。 511 半导体三极管的好坏检测 a;先选量程：R100 或R1K 档位 b;测量PNP 型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值: 红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑 表笔接集电极红表笔不动,所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小 愈好 c;测量PNP 型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值: 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极 和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好 d;测量NPN 型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量 PNP 型半导体三极管的方法相反 第六节 场效应管MOS 61场效应管英文缩写：FETField-effect transistor 62 场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管 63 场效应管电路符号： 沟道64 场效应管的三个引脚分别表示为:G栅极,D漏极,S源极 沟道注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有 输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。 65 场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要 向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大 小，利用输出电流控制输出电源的半导体。 66 场效应管与晶体管的比较 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源 取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较 多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即 有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶 体管好。 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以 很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管 67 场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K 红表笔接S极,用手同时触及一下G,D 极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向 阻值较小的位置,再用手触及一下G,S 场效应管应无反应,即表针回零位置不动此时应可判断出场效应管为好管 将万用表的量程选择在RX1K 档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻 阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大 极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S 第七节集成电路 71 集成电路的英文缩写 ICintegrate circuit 72 电路中的表示符号: 73集成电路的优点是:集成电路是在一块单晶硅上,用光刻法制作出很多三极管, 二极管,电阻和电容,并按照特定的要求把他们连接起来,构成一个完整的电路由于 集成电路具有体积小,重量轻,可靠性高和性能稳定等优点,所以特别是大规模和超 大规模的集成电路的出现,是电子设备在微型化,可靠性和灵活性方面向前推进了一 大步 74 集成电路常见的封装形式 BGAball grid array球栅阵列封装 见图二 QFPquad flat package四面有鸥翼型脚封装 见图一 SOICsmall outline integrated circuit 两面有鸥翼型脚封装 见图五 PLCCplastic leaded chip carrier四边有内勾型脚封装 见图三 SOJsmall outline junction 两边有内勾型脚封装 见图四 图一 图二 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 图三 75集成电路的脚位判别; 对于BGA封装（用坐标表示）：在打点或是有颜色标示处逆时针开始 数用英文字母表示－A,B,C,D,E„„其中I,O 基本不用，顺时针用数 字表示－1，2，3，4，5，6„„其中字母位横坐标，数字为纵坐标 如：A1,A2 对于其他的封装：在打点，有凹槽或是有颜色标示处逆时针开始数为第一脚，第二脚，第三脚„„ 76 集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线．非在线测量 非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚 之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对 比，以确定其是否正常。 2．在线测量 在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通 过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来判断 该集成电路是否损坏。 3．代换法 代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电 路，可以判断出该集成电路是否损坏。 第八节 Socket,Slot 81 Socket 和Slot 的异同: Socket 是一种插座封装形式,是一种矩型的插座见 Slot是一种插槽封装形式,是一种长方形的插槽图七 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 第九节PCB 的简介 91 PCB的英文缩写PCBPrinted Circuit Board 92 PCB的作用:PCB作为一块基板,他是装载其它电子元器件的载 体,所以一块PCB设计的好坏将直接影响到产品质量的好坏 93 PCB的分类和常见的规格:根据层数可分为单面板,双面板和多 层板我们主机板常用的是4 层板或者6 层板,而显示卡用的是8层板 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 而主机板的尺寸为:AT 规格的主机板尺寸一般为13X12单位为英 寸;ATX主机板的尺寸一般为12X96单位为英寸;Micro Atx 主机 板尺寸一般为96X96单位为英寸 注明:1 英寸=254CM 第十节 101晶振在线路中的符号是＂X”,＂Y” 102 晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器 103 晶振在线 晶振的测量方法: 测量电阻方法:用万用表RX10K 档测量石英晶体振荡器的正,反 向电阻值正常时应为无穷大若测得石英晶体振荡器有一定的阻值 或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏 动态测量方法:用是波器在电路工作时测量它的实际振荡频是否符 合该晶体的额定振荡频率,如果是,说明该晶振是正常的,如果该晶 体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,表明该晶振已漏电或击 穿损坏 第十一节 基本逻辑门电路 11 门电路的概念： 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。实现与运算的叫与 门，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等（用逻辑1 表示高电平；用逻辑0 表示低电平） 112 与门： 逻辑表达式 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流 即只有当输入端A 均为1时,输出端Y 才为1,不然Y 为0与门的常用芯片型号 有:74LS08,74LS09 时,输出端Y即为1,所以输入端A 114．非门逻辑表达式 即输出端总是与输入端相反非门的常用芯片型号有:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14 115．与非门逻辑表达式 F=AB 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 即只有当所有输入端 1与非门的常用芯片型号有:74LS00,74LS03,74S31,74LS132 116．或非门：逻辑表达式 即只要输入端A和B中有一个为1时,输出端Y即为0所以输入端A和B均为0 时,Y才会为1 或非门常见的芯片型号有:74LS02 117．同或门:逻辑表达式F=A 1110RS触发器： 电路结构 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流仅供学习交流 把两个与非门G1、G2 的输入、输出端交叉连接，即可构成基本RS 触发器，其逻辑 电路如图721a所示。它有两个输入端R、S 和两个输出端Q、Q。 工作原理 基本RS触发器的逻辑方程为： 根据上述两个式子得到它的四种输入与输出的关系: 两种互补的稳定状态。一般规定触发器Q端的状态作为触发器的状态。通常称触发 器处于某种状态，实际是指它的Q 时，使触发器置0，或称复位。同理，称R 端或复位端。若触发器原来为1态，欲使之变为0 态，必须令 端的电平由0变1。这里所加的输入信号（低电平）称为触 发信号，由它们导致的转换过程称为翻转。由于这里的触发信号是电平,因此这种 触发器称为电平控制触发器。从功能方面看，它只能在S 触发器，或称为置位复位触发器。其逻辑符号如图721b所示。由于置0 时，触发器状态保持不变。触发器保持状态时，输入端都加非有效电平（高电平），需要触发翻转时，要求在 某一输入端加一负脉冲，例如在S 端加负脉冲使触发器置1，该脉冲信号回到高电 平后，触发器仍维持1 状态不变，相当于把S 端某一时刻的电平信号存储起来，这 体现了触发器具有记忆功能。 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 时，触发器状态不确定在此条件下，两个与非门的输出端Q 全为1，在两个输入信号都同时撤去（回到1）后，由于两个与非门的延迟时间无法确定，触发器的状态不能确定是1 还是 0,因此称这种情况为不定状态，这种情况应当避免。从另外一个角度来说，正因为 都是低电平有效，所以二者不能同时为0。此外,还可以用或非门的输入、输出端交叉连接构成置0、置1 触发器,其逻辑图和 逻辑符号分别如图722（a）和722（b）所示。这种触发器的触发信号是高电 平有效，因此在逻辑符号的S 端没有小圆圈。2特征方程 基本RS 触发器的特性： 1基本RS 触发器具有置位、复位和保持（记忆）的功能； 2基本RS 触发器的触发信号是低电平有效，属于电平触发方式； 3基本RS 触发器存在约束条件（R+S=1），由于两个与非门的延迟时间无法确定； 时，将导致下一状态的不确定。4当输入信号发生变化时，输出即刻就会发生相应的变化，即抗干扰性能较差。 如有侵权请联系网站删除，仅供学习交流 仅供学习交流 第十二节 TTL 逻辑门电路 以双极型半导体管为基本元件，集成在一块硅片上，并具有一定的逻辑功能的电 路称为双极型逻辑集成电路，简称TTL逻辑门电路。称Transistor-Transistor Logic, 即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早， 技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL 功耗大等缺点，正逐渐被CMOS 电路取代。 12．1 CMOS 逻辑门电路 CMOS逻辑门电路是在TTL 电路问世之后 ，所开发出的第二种广泛应用的数字 集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越 TTL 而成为占主导地位的逻辑器件 。CMOS电路的工作速度可与TTL 相比较，而它 的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件 ，以及PLD 器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。 早期生产的CMOS门电路为4000 系列 ，随后发展为4000B系列。当前与TTL 兼容的CMO器件如74HCT 系列等可与TTL 器件交换使用。下面首先讨论CMOS反 相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。 MOS管结构图 MOS管主要参数： 1开启电压V